Kioxia revelará tecnologias de memória emergentes na IEDM 2024

A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que artigos científicos da empresa foram aceitos para serem apresentados na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, Encontro Internacional de Dispositivos Eletrônicos) 2024, uma conferência internacional de prestígio que acontecerá em São Francisco, Estados Unidos, de 7 a 11de dezembro.

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20241021096546/pt/

Memory Hierarchy (Graphic: Business Wire)

A Kioxia está empenhada na pesquisa e desenvolvimento de memória semicondutora, indispensável para o avanço da IA e da transformação digital da sociedade. Além de sua tecnologia de memória flash tridimensional (3D) de última geração BiCS FLASH™, a Kioxia se destaca em pesquisa de soluções de memória emergentes. A empresa se esforça constantemente para atender às necessidades dos futuros sistemas de computação e armazenamento com produtos de memória inovadores.

Os sistemas computacionais existentes tiram proveito da DRAM, um dispositivo de memória primária que permiteàCPU processar dados rapidamente, juntamente com a memória flash, para o armazenamento de dados extensos. A Kioxia lidera a pesquisa e o desenvolvimento em memória de classe de armazenamento (SCM), uma solução de memória posicionada entre a DRAM e a memória flash na hierarquia de memória semicondutora, desenvolvida para lidar com volumes de dados maiores que a DRAM e em velocidade maior que a memória flash.

Na IEDM, a Kioxia pretende revelar tecnologias de ponta adaptadas a cada uma dessas três camadas de memória semicondutora: (1) um novo tipo de DRAM que utiliza semicondutores a base de óxido com foco na redução do consumo de energia, (2) MRAM adequada para maiores capacidades para aplicação SCM e (3) uma nova estrutura de memória flash 3D com densidade de bits e desempenho superiores.

Tecnologias de memória emergentes:

1. Transistor DRAM de canal óxido-semicondutor (OCTRAM): esta tecnologia foi desenvolvida pela Nanya Technology e Kioxia Corporation. As empresas desenvolveram um transistor vertical que melhora a integração do circuito ao aprimorar o processo de fabricação. As empresas obtiveram fugas de corrente extremamente baixas ao destacar as propriedades do transistor com o uso de um óxido-semicondutor. Isso pode baixar potencialmente o consumo de energia em inúmeras aplicações, incluindo a IA e sistemas de comunicação pós-5G e produtos de IoT.

Título do artigo: Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) 4F2 Architecture (Arquitetura de DRAM de Transistor de Canal de Óxido-semicondutor (OCTRAM) 4F2) (Número do artigo: 6-1)

2. Tecnologia de MRAM crosspoint de alta capacidade: esta tecnologia foi desenvolvida pela SK hynix Inc. e Kioxia Corporation. Com esta tecnologia, as empresas alcançaram a operação de leitura/gravação de células na menor escala de meio passo de célula de 20,5 nanômetros para MRAM ao combinar a tecnologia de célula que combina seletores adequados para grandes capacidades com as junções de túnel magnético e tecnologia de processamento fino aplicada às matrizes do tipo crosspoint. A confiabilidade da memória tende a se degradaràmedida que as células são miniaturizadas. As empresas desenvolveram uma solução potencial ao utilizar um novo método de leitura que intensifica a resposta transitória dos seletores e reduz a capacitância parasita dos circuitos de leitura. Esta tecnologia tem aplicações práticas para IA e processamento de big data (grandes dados).

Título do artigo: Reliable memory operation with low read disturb rate in the world smallest 1Selector-1MTJ cell for 64 Gb cross-point MRAM (Operação de memória confiável com baixa taxa de perturbação de leitura na menor célula 1Selector-1MTJ do mundo para MRAM cross-point de 64 Gb) (Número do artigo: 20-1)

3. Tecnologia de memória 3D de última geração com estrutura de empilhamento de células horizontais: a Kioxia desenvolveu uma nova estrutura 3D para aprimorar a confiabilidade e evitar a degradação do desempenho das células do tipo NAND. A degradação do desempenho geralmente ocorre quando o número de camadas empilhadas aumenta em estruturas convencionais. A nova estrutura organiza as células do tipo NAND horizontalmente, empilhando-as, quando comparadas com a estrutura convencional de células do tipo NAND que são dispostas verticalmente. Esta estrutura permite a implementação de memória flash 3D com alta densidade de bits e confiabilidade a baixo custo.

Título do artigo: Superior Scalability of Advanced Horizontal Channel Flash For Future Generations of 3D Flash Memory (Escalabilidade superior de flash de canal horizontal avançado para futuras gerações de memória flash 3D) (Número do artigo: 30-1)

Para mais detalhes sobre a IEDM, acesse: https://www.ieee-iedm.org/

Conforme o escopo de sua missão de “elevar o mundo com “memória””, a Kioxia pretende ser pioneira em uma nova era com tecnologia de memória e continuará a promover a pesquisa e desenvolvimento tecnológico para oferecer suporte ao futuro da sociedade digital.

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Sobre a Kioxia

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSD). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrado da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em melhorar o mundo com suas memórias, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado na memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, chamada BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSD, indústria automotiva e data centers.

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